삼성은 아직 출시하지 않았지만 Galaxy S9에 대한 추측이 이미 시작되고 있습니다. Galaxy S10. 분명히 한국의 거대 기업이 내년에 출시할 플래그십은 올해보다 더 강력한 칩을 가져야 할 것입니다. Galaxy S9. 국제 버전의 핵심 Galaxy S9는 Exynos 9810이고 미국 버전은 Snapdragon 845입니다. 삼성은 10nm 공정을 고수해야 했지만, 이르면 내년에 7nm 칩이 스마트폰에 등장할 것입니다. Galaxy S10.
어제 Qualcomm은 이론상 최대 24Gbps의 다운로드 속도를 약속하는 스마트폰용 새로운 LTE 모뎀인 Snapdragon X2를 공개했습니다. Qualcomm은 이것이 이러한 고속을 지원하는 최초의 Category 20 LTE 모뎀이라고 주장합니다. 따라서 Snapdragon X24는 7nm 아키텍처를 기반으로 구축된 최초의 LTE 모뎀이 될 것입니다.
Qualcomm은 모뎀이 올해 후반에 상용 장치에 출시될 예정이므로 미국 버전을 구동하는 Snapdragon 845 칩으로 데뷔하지 않을 것이라고 밝혔습니다. Galaxy S9. Snapdragon 845에는 Snapdragon X20 LTE 모뎀이 있습니다.
Qualcomm은 곧 출시될 프로세서, 즉 Snapdragon 855가 7nm 공정을 사용하여 제조될 것이라는 점을 확인하지 않았습니다. 이는 공급업체 직원 중 한 명의 LinkedIn 프로필을 기반으로 한 추측일 뿐입니다.
Snapdragon X855 모뎀을 탑재한 Snapdragon 24는 세계 최초의 7nm 모바일 프로세서가 됩니다. 그리고 Galaxy S10은 이러한 프로세서를 탑재한 최초의 스마트폰이 될 것입니다.
드로이 : SamMobile
